发明名称 | 检测相移掩模相偏差的方法 | ||
摘要 | 本申请公开了一种用相移掩模简单方便地检测相偏差的方法,其步骤为:a)提供一个透明基片,其包括一个下表面;b)蚀刻所述透明基片的所述下表面,从而以一定间隔形成多个相移图形,每个图形皆具有预定宽度,用来使透过透明基片预定区域的光发生相移;c)形成一相移掩模,其中一具有预定宽度的光屏设置在所述透明基片的预定区域和相移图形之间;d)利用所述相移掩模在一晶片上形成一图形;e)将发生了相移的图形的尺寸(A)与未发生相移的图形的尺寸(B)进行比较,得到一图形尺寸的差;以及f)利用上述图形尺寸之差来检测相偏差。 | ||
申请公布号 | CN1090812C | 申请公布日期 | 2002.09.11 |
申请号 | CN96119947.4 | 申请日期 | 1996.10.03 |
申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 安昌男;金兴一 |
分类号 | H01L21/027;G03F1/08 | 主分类号 | H01L21/027 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
主权项 | 1.检测相移掩模相偏差的方法,其特征在于包括以下步骤:a)提供一个透明基片,其包括一个下表面;b)蚀刻所述透明基片的所述下表面,从而以一定间隔形成多个相移图形,每个图形皆具有预定宽度,用来使透过透明基片预定区域的光发生相移;c)形成一相移掩模,其中一具有预定宽度的光屏设置在所述透明基片的预定区域和相移图形之间;d)利用所述相移掩模在一晶片上形成一图形;e)将发生了相移的图形的尺寸(A)与未发生相移的图形的尺寸(B)进行比较,得到一图形尺寸的差;以及f)利用上述图形尺寸之差来检测相偏差。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |