| 摘要 |
<p>본 발명은 커패시터의 크기가 작으면서도 큰 용량과 높은 공진 주파수를 가져 고주파 대역에서 사용 가능하며, 또한 자유로이 커패시터의 용량 조절이 가능하도록 하기 위한 것으로서, 기판과, 상기 기판 위에 형성된 제 1 금속층과, 상기 제 1 금속층 위에 제 1 강유전 물질로 형성된 제 1 유전막과, 상기 제 1 유전막 위 한쪽 끝단의 일부영역이 노출되도록 형성된 제 2 금속층과, 상기 노출된 제 1 유전체와 연결되도록 상기 제 2 금속층 위에 제 2 강유전 물질로 형성된 제 2 유전막과, 상기 제 2 유전막 위에 형성된 제 3 금속층을 포함하여 구성되며, 기계적으로 움직이는 전극없이 DC 바이어스 전압으로 커패시턴스 값을 변화시킬 수 있다.</p> |
