在半导体器件上形成微细图形的方法

摘要

本发明提供一种在半导体器件上形成微细图形而不发生塌倒的方法，它包含：把光敏膜覆盖在大圆晶片上；用光掩膜在光敏膜上光刻成形，随后显影形成光敏膜图形；通过自旋在大圆晶片上散布第一洗液，使第一洗液停留在包括光敏膜图形在内的大圆晶片上；在大圆晶片上散布第二洗液，使之停留在其上，同时自旋大圆晶片，从以除去其上的第一洗液；自旋大圆晶片，使第二洗液干化。

主权项

1.一种在半导体器件上形成微细图形的方法，包含下列步骤：把光敏膜覆盖在大圆晶片上；用光掩膜在光敏膜上光刻成形，随后显影形成光敏膜图形；通过自旋在大圆晶片上散布去离子水，使去离子水停留在包括光敏膜图形在内的大圆晶片上；在大圆晶片上散布第二洗液，使之停留在其上，同时自旋大圆晶片，以除去其上的去离子水；以及自旋大圆晶片，使第二洗液干化，其特征在于所述第二洗液是表面张力比去离子水低的液体或冻点低于去离子水的液体。