Method of forming an inter layer insulating film in a semiconductor device

摘要

본 발명은 하부 구조가 형성된 반도체 기판상에 폴리 층간 절연막으로 무기 SOG막을 증착하는 단계와, 상기 무기 SOG막 내의 불순물을 제거하기 위해 급속 열처리 또는 반응로 열처리 어닐 공정을 수행하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법을 제공한다.