| 摘要 |
<p>본 발명은 커패시터의 상하부전극 등 백금족 금속을 포함하는 층에 미량의 산소를 첨가하는 방법을 제공한다. 본 발명은, 커패시터의 상하부전극 등 백금족 금속을 포함하는 층을 형성한 후, 이에 대해 산소이온 주입공정을 수행한다. 본 발명에 따르면, 백금족 금속을 포함하는 층에 산소이온 주입공정을 수행함으로써, 이 백금족 금속을 포함하는 층에 미량의 산소를 그 농도를 정확히 조절하면서 첨가할 수 있다. 또한, 종래 전기도금 방법에 의해 백금족 금속층을 형성하는 경우 불가능했던 산소 첨가가 가능해진다.</p> |
