| 摘要 |
<p>본 발명은 트렌치형 게이트전극 구조의 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 그 제조 방법은 질화막 패턴을 이용하여 기판내에 LDD 영역을 형성하고, 그 질화막 패턴 측면에 서로 이격된 스페이서를 형성한 후에, 그 스페이서에 의해 노출된 기판에 트렌치를 형성하고, 산화 공정을 실시하여 요(凹)홈 형태의 게이트산화막을 형성한 후에 질화막 패턴을 제거하고, 그 스페이서 사이의 홈에 게이트전극을 형성한 후에, 스페이서와 필드 산화막 사이의 기판 내에 소오스/드레인 영역을 형성한다. 이에 따라, 본 발명은 트렌치형 게이트전극 구조에 의해 유효 채널 길이가 증가되어 고집적 반도체소자의 트랜지스터 특성을 향상시킨다.</p> |
