| 摘要 |
<p>Es wird ein Halbleitersubstrat (1) bereit gestellt, auf dem eine erste Schicht (2), eine zweite Schicht (3) und eine dritte Schicht (4) angeordnet sind. Die dritte Schicht (4) ist beispielsweise eine Lackmaske, die zur Strukturierung der zweiten Schicht (3) verwendet wird. Die zweite Schicht (3) ist beispielsweise eine strukturierte Hartmaske, die zur Strukturierung der ersten Schicht (2) verwendet wird. Anschließend wird die dritte Schicht (4) entfernt und eine vierte Schicht (8) abgeschieden. Die vierte Schicht (8) ist beispielsweise ein Isolator, der die in der ersten Schicht (2) gebildeten Gräben auffüllt. Anschließend wird die vierte Schicht (8) mittels eines CMP-Schrittes planarisiert, wobei die Planarisierung fortgesetzt wird und die zweite Schicht (3), die beispielsweise eine Hartmaske ist, zusammen mit der vierten Schicht (8) von der ersten Schicht (2) entfernt. Dabei verbleibt die vierte Schicht (8) in einem Graben (7), der in der ersten Schicht (2) angeordnet ist.</p> |
