Informationsredundante nichtflüchtige Halbleiterspeicherzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung und Programmierung

摘要

Die Erfindung betrifft eine informationsredundante nichtflüchtige Halbleiterspeicherzelle (SZ) sowie ein Verfahren zu deren Herstellung und Programmierung, wobei ein erstes und zweites nichtflüchtiges Speicherelement (Ta, Tb) über ihre ladungsspeichernden Schichten (3a und 3b) mittels einer Tunnel-Isolierschicht (2') derart miteinander gekoppelt sind, dass ein Ladungsaustausch zwischen den Speicherelementen ermöglicht ist. Auf diese Weise erhält man eine verbesserte Zyklenzahl und Datensicherheit.