Feldeffekt-Halbleiterbauelement

摘要

Feldeffekt-Halbleiterbauelement (2), bei dem der Schaltvorgang durch eine von außen über eine Gate-Widerstandsschaltung (5) zugeführte Gate-Spannung erfolgt, um zwischen einem isolierten Gate (G) und einem Emitter (E) fließende Lade- und Entladeströme zu begrenzen, wobei das FET-Halbleiterbauelement folgendes aufweist: einen isolierten Gate-Elektrodenbereich, der von einem Gate-Elektrodenanschluß (2a) und einer diesem gegenüber isolierten Gate-Elektrode (2b) gebildet ist; dabei ist die Gate-Widerstandsschaltung (5) zwischen dem Gate-Elektrodenanschluß (2a) und die Gate-Elektrode (2b) so eingefügt, daß sie integral mit dem isolierten Gate-Elektrodenbereich ausgebildet ist; und die Gate-Widerstandsschaltung (5) weist einen ersten Gate-Widerstand (6) und eine mit dem ersten Gate-Widerstand (6) parallel verbundene erste Reihenschaltung auf, die einen zweiten Gate-Widerstand (8) und eine erste Diode (7) aufweist, so daß eine Anode (A) der ersten Diode (7) mit der Gate-Elektrode (2b) verbunden ist.