Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung

摘要

Eine eingebaute Selbsttestschaltung (300) und eine eingebaute Redundanzanalyseschaltung (400) sind gemeinsam für eine Mehrzahl von DRAM-Kernen (100.1 bis 100.n) vorgesehen. Die eingebaute Redundanzanalyseschaltung (400) bestimmt eine Defektadresse, die durch eine einer Mehrzahl von Ersatzspeicherzellenzeilen und einer Mehrzahl von Ersatzspeicherzellenspalten gemäß einem Adreßsignal und einem Erfassungsresultat einer defekten Speicherzelle von der eingebauten Selbsttestschaltung (300) zu ersetzen ist. Die eingebaute Redundanzanalyseschaltung (400) steuert ein effektives Dienstgebiet einer Adreßspeicherschaltung, in die eine Defektadresse gespeichert wird, gemäß einer Kapazität eines zu testenden DRAM-Kernes.