| 发明名称 | 基于二极管和阴极导电性以及阴极发光的数据存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供了基于二极管和阴极导电性以及阴极发光的数据存储介质。一种超高密度数据存储装置,包括至少一个能量沟通元件(120)和通常包括至少一个整流结的存储介质(40)。能量沟通元件(120)一般能够发射例如但不限于热能、光能和电子能。能量沟通元件一般位于存储介质附近或者和存储介质接触。所述存储介质一般包括纳米级的存储区域(130,140)。 | ||
| 申请公布号 | CN1367534A | 申请公布日期 | 2002.09.04 |
| 申请号 | CN01124741.X | 申请日期 | 2001.08.01 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | G·A·吉布森 |
| 分类号 | H01L27/10;G11C11/34 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种数据存储装置，包括：具有整流结区域的存储介质(40)；在整流结区域附近的至少一个纳米级的未修改的区域(140)；在整流结区域附近的至少一个纳米级的修改的区域(130)；以及位于存储介质(40)的表面附近的至少一个能量发射探针(105)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||