磁传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种磁传感器及其制造方法,在单个基片上形成多个配置有钉扎层的磁阻效应元件,钉扎层具有彼此相交的方向的固定磁化轴。在衬底10上形成了将成为两个磁隧道效应元件11、21的磁层,作为磁阻效应元件。形成由NiCo制成的磁场施加磁层,使其在平面图中夹持磁层。给磁场施加磁层施加磁场。磁场施加磁层在箭头A所示的方向上磁化之后,除去磁场。结果,通过磁场施加磁层的剩磁磁化,给将成为磁隧道效应元件11、21的磁层施加箭头B所示的方向的磁场,从而在箭头B所示的方向上钉扎了将成为磁隧道效应元件11、21的磁层的钉扎层的磁化。

主权项

1.一种磁传感器，包括包含钉扎层和自由层的磁阻效应元件，所述磁阻效应元件具有随由钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向形成的相对角度变化的电阻值，以这样的方式形成所述磁传感器，即将多个所述磁阻效应元件设置在单个基片上，所述多个磁阻效应元件中的至少两个的钉扎层具有彼此相交的磁化方向。