| 发明名称 | 磁阻效应元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供磁阻效应元件,该元件含有中间层和夹持上述中间层的一对磁性层,上述中间层含有从2～17族中选出的至少3种元素,上述元素含有从F、O、N、C和B中选出的至少1种元素。根据本发明,可提供具有高磁阻变化率和低电阻的磁阻效应元件。本发明还提供磁阻效应元件的制造方法,该方法包括使前体成膜的工序、和在含有从氧原子、氮原子和碳原子中选出的至少一种反应种子的反应气氛中,使上述前体和上述反应种子进行反应从而形成上述中间层的至少一部分的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1367544A | 申请公布日期 | 2002.09.04 |
| 申请号 | CN02105298.0 | 申请日期 | 2002.01.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 平本雅祥;小田川明弘;松川望;饭岛贤二;榊间博 |
| 分类号 | H01L43/08;H01L41/12 | 主分类号 | H01L43/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;杨丽琴 |
| 主权项 | 1、一种磁阻效应元件，其特征是：它含有中间层和夹持该中间层的一对磁性层，上述中间层含有从2～17族中选出的至少3种元素，上述元素含有从F、O、N、C和B中选出的至少1种元素。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||