用于低介电常数层间介质薄膜的有机硅前体

摘要

一种在基片形成低介电常数层间介质薄膜的方法,该方法是通过在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下,使包括甲硅烷基醚、甲硅烷基醚低聚物或含一个或多个活性基团的有机硅化合物的有机硅前体发生反应,以形成介电常数为3.5或更低的层间介质薄膜。由上述方法形成的薄膜。

主权项

1．一种形成低介电常数层间介质薄膜的方法，该方法包括在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下，使有机硅前体，任选与一种或多种其他反应物质一起发生反应以形成介电常数约3.5或更低的层间介质薄膜，所述有机硅前体包括由结构I-VI的一个或多个表示的一种或多种甲硅烷基醚或由VII表示的甲硅烷基醚低聚物：(R²O)_xSiR¹_(4-x)          (R³O)_ySiHR¹_(3-y)I                   II                 III               IVR¹₃Si-O-R⁴-O-SiR¹₃R¹-((R³O)-Si-(R¹))₂-R¹  V                              VI                            VII其中x为1-3的整数；y为1或2；z为2-6的整数；R¹为一个或多个氢、氟、支链或直链c1-C6烷基、C3-C8取代或未被取代的环烷基、C6-C12取代或未被取代的芳基、部分或全部氟化的C1-C6烷基、部分或全部氟化的C3-C8环烷基、或者部分或全部氟化的C6-C12芳基；R²为一个或多个C6-C12取代或未被取代的芳基、部分或全部氟化的C1-C6直链或支链烷基、部分或全部氟化的C3-C8环烷基、或者部分或全部氟化的C6-C12芳基；R³为一个或多个R²、C1-C6线性或支链烷基、或C3-C8取代或未被取代的环烷基；以及R⁴为一个或多个支链或直链C1-C6烷基、C3-C8取代或未被取代的环烷基、C6-C12取代或未被取代的芳基、部分或全部氟化的支链或直链C1-C6烷基、部分或全部氟化的C3-C8环烷基、或者部分或全部氟化的C6-C12芳基。