发明名称 操作电容性薄膜电晶体阵列的方法
摘要 一种以一连接至各别电容的相关阵列TFT元件扫描一电容阵列的方法,包括扫描该阵列电容以依序预充电各别电容至一预充电电压,及接着扫描该阵列电容以依序检测该电容电荷及藉此决定各别电容值。该TFT's操作如开关以连接各别电容至交替操作成预充电电位源之行电极及感测电极。该预充电电压被选定以具有和供给至TFT's的扫描脉冲之关闭的暂态体有相同极性。选择预充电电压以和TFT关闭暂态具有相同极性倾向于加强该检测电荷的有效动态范围。
申请公布号 TW501069 申请公布日期 2002.09.01
申请号 TW089115927 申请日期 2000.08.08
申请人 汤普生认证公司 发明人 麦克 吉尔斯 卡尼;航吉 吉姆
分类号 G06T1/00 主分类号 G06T1/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种以连接至各别电容之相关TFT阵列扫描一阵列电容器之方法,其中该电容器阵列被依序地预先充电至一预先充电电压,该方法包含:提供扫描脉冲至该TFT元件,用以调整该TFT元件以传导于一行滙流排和该电容器间,该扫描脉冲具有一极性的关闭暂态以趋向调整该TFT元件在该电容被预先充电后离开传导;提供一耦合该行滙流排的直流预先充电源,该预先充电电压源具有和该暂态相同之极性。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该阵列是一电容性感测器阵列及该方法操作以感测各别阵列电容上电荷,且该方法另包含可变地调整该扫描脉冲之大小以调整感测电荷之动态范围。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该阵列是一电容性感测器阵列其系经由感测各别阵列电容上电荷而操作,且该方法另包含可变地调整该预先充电电压之直流値以调整感测电荷之动态范围。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该阵列是一电容性感测器其系经由感测各别阵列电容上电荷操作,且该方法另包含可变地调整该扫描脉冲之直流大小以调整感测电荷之动态范围。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该阵列是一电容性感测器阵列及该方法作动以感测各别阵列电容上感测电荷,及该方法另包含经由调整该扫描脉冲之直流位准之一,及该扫描脉冲之大小来调整感测电容値之影像讯号之饱合。6.一种电容性薄膜电晶体阵列装置,包含:一可变电容阵列;一以行滙流排和各别电容间连接之各别TFT的传导路径来扫描TFT's之阵列;一计时和脉冲产生器以提供扫描脉冲至各别该TFT's以调整该TFT's为传导,该脉冲具有一极性之暂态以调整该TFT's离开传导;一预先充电电压源具有如该暂态之相同极性;一电荷感测器;开关用以交互地连接该预先充电电压源或该电荷感测器至该行滙流排。7.如申请专利范围第6项之装置,另包括可变控制电路以调整直流値之一値及该扫描脉冲之振幅値。图式简单说明:图1是先前扫描电容阵列之一部份示意图;图2是图1所示更详细之一逻辑格的一示意图;图3是在TFT闸极脉冲关闭暂态之前和之后的电压转接一阵列电容之一波形;图4是本发明所具体化之TFT扫描阵列之一示意图。
地址 法国