| 主权项 |
1.一种将气体传送到多晶矽蚀刻反应室中的方法,该方法至少包含:传送溴化氢(HBr)气体进入该多晶矽蚀刻反应室中,该溴化氢(HBr)气体的流通率在180至280sccm之间;并传送氦气(He)进入该多晶矽蚀刻反应室中,该氦气(He)的流通率在180至280sccm之间,而该溴化氢(HBr)及氦气(He)的总流通率大于400sccm,以避免因生成高分子产物而造成光阻硬化的现象。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之多晶矽蚀刻反应室中的压力维持在30 mTorr以上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之多晶矽蚀刻反应室中的压力维持在50至80 mTorr之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述溴化氢(HBr)及氦气(He)的总流通率大于420 sccm。5.如申请专利范围第1项之方法,其中更包含一以5至10 sccm之间的流通率传送氦氧混合气体(He/O2)进入该多晶矽蚀刻反应室的步骤。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述溴化氢(HBr)、氦气(He)及氦氧混合气体(He/O2)被传送到该多晶矽蚀刻反应室上游的混合埠中。7.一种将气体传送到多晶矽蚀刻反应室中的方法,该多晶矽蚀刻反应室中的压力维持在30 mTorr以上,该方法至少包含:传送溴化氢(HBr)气体进入该多晶矽蚀刻反应室中,该溴化氢(HBr)气体的流通率在180至280 sccm之间;并传送氦气(He)进入该多晶矽蚀刻反应室中,该氦气(He)的流通率在180至280 sccm之间,而该溴化氢(HBr)及氦气(He)的总流通率大于400 sccm,以避免因生成高分子产物而造成光阻硬化的现象。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之多晶矽蚀刻反应室中的压力维持在50至80 mTorr之间。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述溴化氢(HBr)及氦气(He)的总流通率大于420 sccm。10.如申请专利范围第7项之方法,其中更包含一以5至10 sccm之间的流通率传送氦氧混合气体(He/O2)进入该多晶矽蚀刻反应室的步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述溴化氢(HBr)、氦气(He)及氦氧混合气体(He/O2)被传送到该多晶矽蚀刻反应室上游的混合埠中。12.一种将气体传送到多晶矽蚀刻反应室中的方法,该多晶矽蚀刻反应室中的压力维持在30 mTorr以上,该方法至少包含:传送溴化氢(HBr)气体进入该多晶矽蚀刻反应室中,该溴化氢(HBr)气体的流通率在180至280 sccm之间;传送氦气(He)进入该多晶矽蚀刻反应室中,该氦气(He)的流通率在180至280 sccm之间,而该溴化氢(HBr)及氦气(He)的总流通率大于400 sccm,以避免因生成高分子产物而造成光阻硬化的现象;并传送氦氧混合气体(He/O2)进入该多晶矽蚀刻反应室中,该氦氧混合气体(He/O2)的流通率在5至10 sccm之间。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之多晶矽蚀刻反应室中的压力维持在50至80 mTorr之间。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述溴化氢(HBr)及氦气(He)的总流通率大于420 sccm。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述溴化氢(HBr)、氦气(He)及氦氧混合气体(He/O2)被传送到该多晶矽蚀刻反应室上游的混合埠中。图式简单说明:第一图为本发明所采用的多晶矽蚀刻反应系统中,蚀刻反应室及电浆气体传输系统的概略线路图。 |
