| 主权项 |
1.一种绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体(SOI MOSFET),包括:一半导体基底;一埋入式氧化层,形成于该半导体基底上;一基体,位于该埋入式氧化层上,该基体为一电晶体之一主动区;一闸极氧化层,形成于该基体上;一闸极,形成于该闸极氧化层上;以及一基体接触窗,将供应电源至该基体;其中该基体接触窗系由形成一沟渠穿过一隔离区域、该基体与该埋入式氧化层,并在该沟渠中填入一导电材料制作而成,所以该基体会与该半导体基底电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体,其中该闸极至少包括金属与多晶矽其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体,其中该导电材料系选自一金属层、一钨层、一矽磊晶层、以及一组合层其中之一,其中该组合层系由一金属层、一钨层、一矽磊晶层其中之二组成之。4.如申请专利范围第1项所述之绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体,进一步包括在该半导体之一区域中植入预定之掺质,以使该半导体基底与该基体接触窗之下部连接,藉以在该半导体基底与该基体接触窗之间产生欧姆接触。5.如申请专利范围第1项所述之绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体,其中该沟渠随着该沟渠之深度变窄。6.如申请专利范围第5项所述之绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体,其中该沟渠以阶梯式的方式随着深度变窄。7.一种绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体的制造方法,包括:形成一埋入式氧化层于一半导体基底上;形成一矽基体,位于该埋入式氧化层上;定义该矽基体成为一通道区,一基体接触窗、一隔离区、一场氧化层区、一周边主动区,并蚀刻该隔离区与该场氧化层区;进一步蚀刻该隔离区直到暴露出该埋入式氧化层为止;形成氧化层于该隔离区与该场氧化层区中;形成一闸极氧化层于该基体之一预定区域上,并于该闸极氧化层上形成一闸极;由上往下蚀刻该半导体基底,藉以穿透该基体与该埋入式氧化层以形成一沟渠;将预定掺质植入到该半导体基底之一预定区域中,以形成一欧姆接触;以及在该沟渠中填入一导电材料。8.如申请专利范围第7项所述之绝缘层上有矽之金氧半场效电晶体的制造方法,其中该半导体基底之该预定区域为该沟渠之底部。图式简单说明:第1图绘示为使用习知的一种沟渠方法制作具有基体接触窗的SOI MOSFET之平面图;第2图绘示为第1图之SOI MOSFET沿着线段X-X'之结构剖面图;第3图绘示为第1图之SOI MOSFET沿者线段Y-Y'之结构剖面图;第4图绘示依照本发明一较佳实施例之一种具有基体接触窗的SOI MOSFET之平面图;第5图绘示为第4图之SOI MOSFET沿着线段X-X'之结构剖面图;第6图至第9图绘示依照本发明之第4图与第5图所示之SOI MOSFET的制作流程图;第10图绘示为一种具有倒梯形的沟渠;以及第11图绘示为一种具有阶梯状之沟渠。 |
