| 主权项 |
1.一种MOS电晶体临限电压之调整方法,此种电晶体具有一种由多晶矽所构成之闸极,其特征为:锗离子植入此种由多晶矽所构成之闸极(4)中以改变此闸极之工作函数。2.一种MOS电晶体临限电压之调整方法,其特征为:此种以锗离子植入之闸极(4)随后以热处理方法而恢复,此时此闸极(4)在一预定之时段中受到一种高温所作用。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中在锗离子植入之前使氮离子植入该由多晶矽所构成之闸极(4)中以形成一种氧化截止层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中在植入氮离子之后,此种由多晶矽所构成之闸极进行热处理而被恢复,此时该闸极在一预定之时段中受到一种高温所作用。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中对一种CMOS电路中之PMOS电晶体或NMOS电晶体之临限电压进行调整。6.如申请专利范围第2项之方法,其中在热处理时温度大于1000℃。7.如申请专利范围第4项之方法,其中在热处理时温度大于1000℃。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中闸极(4)之锗成份在锗离子植入之后是20%。图式简单说明:第1图MOS电晶体之层结构,其临限电压以本发明之方法来调整。第2图P-通道-MOS场效电晶体,其临限电压以本发明之方法来调整。第3图CMOS结构,其PMOS电晶体之临限电压以本发明之方法来调整。 |
