| 主权项 |
1.一种氮化物半导体雷射元件,具备在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层;该p型氮化物半导体层中以至少包括最上层的p型接触层之方式形成有脊部,且与脊部上面的p型接触层做欧姆接触的p侧欧姆电极,系与谐振方向大略平行地形成,其特征在于:形成有第1绝缘膜,其系于前述脊部上面具有开口部,并至少覆盖前述脊部的侧面及该侧面外侧附近;所形成的前述p侧欧姆电极系介以前述开口部与前述p型接触层相接;前述第1绝缘膜之上更形成有第2绝缘膜。2.根据申请专利范围第1项之氮化物半导体雷射元件,其中前述p侧欧姆电极之构成系由选自Ni、Co、Fe、Ti、Cu群中的至少1种与Au积层之后,经回火处理的合金。3.一种氮化物半导体雷射元件,具备在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层;该p型氮化物半导体层中以至少包括最上层的p型接触层之方式形成有脊部,且与脊部上面的p型接触层做欧姆接触的p侧欧姆电极,系与谐振方向大略平行地形成,其特征在于:形成有第1绝缘膜,其系于前述脊部上面具有开口部,并至少覆盖前述脊部的侧面及该侧面外侧附近;所形成的前述p侧欧姆电极系介以前述开口部与前述p型接触层相接前述第1绝缘膜上更形成有于前述p侧欧姆电极上具有开口部之第2绝缘膜;p侧垫整电极系介以设于前述第2绝缘膜之前述开口部与p侧欧姆电极相接而形成;前述p侧垫整电极,自与p侧欧姆电极相接的层,依序包括密接层、阻障层及Au层等3层;前述密接层的材料比前述Au层,对前述第2绝缘膜以及前述p侧欧姆电极更有密接性;前述阻障层的材料比前述Au层更不易发生扩散。4.根据申请专利范围第3项之氮化物半导体雷射元件,其中前述p侧垫整电极的密接层,包括由Ni、Cu、Ru、RuO2.Ti、W、Zr、Rh、RhO之群中所选出的至少1种。5.根据申请专利范围第3项之氮化物半导体雷射元件,其中前述p侧垫整电极的阻障层,包括由Ti、Pt、W、Ta、Mo、Rh、此等金属之氮化物及RhO的群中所选出的至少1种。6.根据申请专利范围第3项之氮化物半导体雷射元件,其中前述n型氮化物半导体层包含部分露出的n型接触层,该露出的n型接触层上方介以n侧欧姆电极形成有一n侧垫整电极;且前述n侧垫整电极使用的材料与p侧垫整电极相同。7.根据申请专利范围第2项之氮化物半导体雷射元件,其中前述第2绝缘膜在前述p侧欧姆电极上方的开口部,介以该诸开口部,形成有与p侧欧姆电极相接之p侧垫整电极。8.根据申请专利范围第7项之氮化物半导体雷射元件,其中前述p侧垫整电极系由密接层及密接层上方所形成的Au层所组成;密接层由Rh或RhO所组成并与前述p侧欧姆电极相接。9.根据申请专利范围第8项之氮化物半导体雷射元件,其中前述p侧欧姆电极之组成系于最上层包含一RhO层,同时前述密接层由RhO所组成。10.根据申请专利范围第7项之氮化物半导体雷射元件,其中前述p侧垫整电极系由密接层、密接层上形成的阻障层以及阻障层上形成的Au层所组成;密接层由Rh或RhO所组成并与前述p侧欧姆电极相接,阻障层系由包括Ti、Pt、W、Ta、Mo、此等金属之氮化物的群中所选出至少1种所组成。11.根据申请专利范围第10项之氮化物半导体雷射元件,其中前述p侧欧姆电极之组成系于最上层包含一RhO层同时前述密接层由RhO所组成。12.根据申请专利范围第1至11项中任一项之氮化物半导体雷射元件,其中前述第2绝缘膜与谐振端面呈连续形成,该谐振端面中形成有雷射反射面。13.根据申请专利范围第1至11项中任一项之氮化物半导体雷射元件,其中前述第1及第2绝缘膜均为氧化物所组成。14.根据申请专利范围第1至11项中任一项之氮化物半导体雷射元件,其中前述第1绝缘膜为ZrO2。15.根据申请专利范围第1至11项中任一项之氮化物半导体雷射元件,其中前述第2绝缘膜为TiO2或SiO2。16.根据申请专利范围第12项之氮化物半导体雷射元件,其中前述第2绝缘膜为TiO2层与SiO2层交替积层的多层膜。17.一种氮化物半导体发光元件,其具备p型氮化物半导体层、该p型氮化物半导体层上方所形成的p侧欧姆电极、以及该p侧欧姆电极上方所形成的p侧垫整电极;其特征在于:前述p侧欧姆电极系将自Ni、Co、Fe、Ti、Cu群中所选出的至少1种金属与Au积层后,经回火处理所得的合金层;前述p侧垫整电极包括,与前述p侧欧姆电极相接并由Rh或RhO所形成的密接层,以及与密接层上方相接或介以阻障层形成的Au层;阻障层形成于前述密接层之上方,由包括Ti、Pt、W、Ta、Mo、及此等金属之氮化物的群中的至少1种所形成。18.根据申请专利范围第17项之氮化物半导体发光元件,其中前述p侧欧姆电极的最上层有一RhO层,且前述密接层系由RhO所组成。19.一种氮化物半导体发光元件之电极形成方法,其特征为包括下列步骤:在p型氮化物半导体层上,按顺序形成第1层、Au层、及RhO层以构成p侧欧姆电极;第1层系由Ni、Co、Fe、Ti、Cu群中至少1种金属所组成;将前述p侧欧姆电极做热回火处理;在前述回火处理过的p侧欧姆电极上,包括形成一RhO层及形成一Au层,以构成前述p侧欧姆电极上方的p侧垫整电极。图式简单说明:图1系模式断面图,显示本发明一种实施型态下氮化物半导体雷射元件的构造,图2系部分断面图,显示本发明变形例氮化物半导体雷射元件的构造,图3系图1氮化物半导体雷射元件的斜视图。 |
