| 主权项 |
1.一种回剥金属的故障分析方法,包括:提供一多层金属内连线积体电路,至少包括有一第一金属层,一介电层,一第二金属层,一阻障层及一介层孔洞;移除部份该第二金属层,以打开该介层孔洞之封口,而形成一开口;填充一填充层至该开口中;移除该第二金属层;移除该第二金属层下之该阻障层;以及移除该介电层与该填充层。2.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中该填充层包括二氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中移除部份该第二金属层之方法包括聚焦离子束。4.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中该第一金属层包括铝铜矽合金。5.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中该第二金属层包括铝铜矽合金。6.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中该介电层包括二氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中该阻障层包括氮化钛。8.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中移除该第二金属层之方法包括一湿蚀刻法。9.如申请专利范围第8项所述之回剥金属的故障分析方法,其中该湿蚀刻法之一蚀刻剂包括盐酸/过氧化氢为1/1左右。10.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中移除该阻障层之方法包括一湿蚀刻法。11.如申请专利范围第10项所述之回剥金属的故障分析方法,其中该湿蚀刻法之一蚀刻剂包括硫酸/过氧化氢为1/1左右。12.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中移除该介电层之方法包括乾蚀刻法。13.如申请专利范围第1项所述之回剥金属的故障分析方法,其中移除该填充层之方法包括乾蚀刻法。14.如申请专利范围第12项或第13项所述之回剥金属的故障分析方法,其中乾蚀刻法包括反应性离子蚀刻。图式简单说明:第1A图至第1C图绘示习知的一种回剥金属的故障分析方法。第2图至第7图绘示一种依照本发明一较佳实施例的回剥金属的故障分析方法。 |
