| 主权项 |
1.一种线上(in-line)监控离子植入剂量的方法,该方法包含有下列步骤:提供一晶圆,其上设有一用来作为离子布植遮罩之光阻层;置该晶圆于一离子布植机真空舱中;抽真空(evacuate)该真空舱,至一预定真空度;提供一第一红外光束以及一第二红外光束,其中该第一红外光束以一预定入射角度射向该晶圆表面之该光阻层,并产生一反射红外光束射向一红外线侦测器,该第二红外光束则直接射向该红外线侦测器作为一背景红外线光束,使该第一红外光束以及该反射红外光束产生一吸收光谱;以及提供一离子束,该离子束被导向该晶圆,并植入该晶圆未被该光阻层覆盖之区域一预定时间;其中离子布植该晶圆之后,在一正常状态下,能够于该吸收光谱中之一预定波长观察到一固定之吸收度消减Att;若于该吸收光谱中之该预定波长观察到超过Att之吸收度消减,则视为一过度植入状态。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一红外光束以及第二红外光束系由一设置于该真空舱中之红外线光源所产生。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一红外光束以及第二红外光束具有相同之强度以及波长范围。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该第一红外光束以及第二红外光束之波长涵盖2m至20m。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该预定真空度系小于10-5托耳(Torr)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该离子束被导向该晶圆系以一来回扫描方式进行,以同时扫描该光阻层以及未被该光阻层覆盖之该晶圆。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该预定时间介于2秒至60分钟。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该预定波长系介于3000cm-1至3200cm-1之间。9.一种线上判断过度植入的方法,该方法包含有下列步骤:离子布植一晶圆,其上设有一用来作为离子布植遮罩之光阻层;以及在离子布植该晶圆的过程中,提供一第一红外光束以及一第二红外光束,其中该第一红外光束以一预定入射角度射向该晶圆表面之该光阻层,并产生一反射红外光束射向一红外线侦测器,该第二红外光束则直接射向该红外线侦测器作为一背景红外线光束,使该第一红外光束以及该反射红外光束产生一吸收光谱。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该晶圆在离子布植过程中系被设置于一真空舱中。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该第一红外光束以及第二红外光束系由一设置于该真空舱中之红外线光源所产生。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该第一红外光束以及第二红外光束具有相同之强度以及波长范围。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该真空舱系被抽真空至一预定之真空度。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该预定真空度系小于10-5托耳。图式简单说明:图一为本发明线上(in-line)监控离子植入剂量的方法之装置示意图。图二为进行离子布植制程前,由第一红外光束以及反射红外光束所产生之吸收光谱。图三为进行离子布植制程后,由第一红外光束以及反射红外光束所产生之吸收光谱。图四为进行离子布植制程时,该光阻层对于波长介于3000cm-1至3200cm-1之间之光波之吸收度与离子布植时程之关系示意图。 |
