| 主权项 |
1.一种非对称双槽式位址表之资料写入方法,用以将一来自一来源埠之SMAC位址资料写入该非对称双槽式位址表,其中,该非对称双槽式位址表包括一第一存取口及一第二存取口,该第一存取口具m个存取槽,该第二存取口具n个存取槽,m与n均为正整数且m系n之一整倍数,该非对称双槽式位址表之资料写入方法包括以下步骤:依据该SMAC位址产生一Hash値;自该非对称双槽式位址表中择出与该Hash値对应之一位址;当该第一存取口中与该位址对应之存取槽内无资料时,即将该SMAC位址之一TAG及其来源埠写入该第一存取口中与该位址对应之存取槽;以及当该第一存取口中与该位址对应之存取槽内有资料时,则以一映射方式,将该Hash値映射为一次位址及一共享値,并自该第二存取口中择出与该次位址对应之一存取槽,当该第二存取口中与该次位址对应之该存取槽内无资料时,即将该SMAC TAG、该共享値及该来源埠写入该第二存取口中与该次位址对应之该存取槽。2.如申请专利范围第1项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,其中该映射方式,系将将该Hash値除以一个整倍数以得一商数及一余数,根据该商数而得到该次位址,且该共享値系为该余数。3.如申请专利范围第1项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,其中该m系4K且该n系2K,而K系为210。4.如申请专利范围第3项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,其中该共享値系1个位元。5.如申请专利范围第1项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,其中该m系8K且该n系2K,而K系为210。6.如申请专利范围第5项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,其中该共享値系2个位元。7.如申请专利范围第1项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,其中该Hash値之长度系12个位元。8.如申请专利范围第1项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,其中界定该第一存取口中与该位址对应之存取槽系相关于该次位址对应之存取槽,当该等相关之两存取槽皆已经存有资料时,则将该SMAC TAG、该共享値及该来源埠选择性地写入较久未经存取之该等相关之两存取槽之一。9.如申请专利范围第1项所述之非对称双槽式位址表之资料写入方法,更包含当与该位址对应之存取槽以及与该次位址对应之存取槽皆已经存有资料时,若与该位址对应之存取槽中之资料经过一预定期间没有存取,则将该次位址对应之存取槽中之资料移入与该位址对应之存取槽中,并清空该次位址对应之存取槽。10.一种非对称双槽式位址表之查表方法,用以传送一封包,其中,该封包记录有一SMAC位址及一DMAC位址,该非对称双槽式位址表包括一第一存取口及一第二存取口,该第一存取口具m个存收糟,该第二存取口具n个存取槽,m与n系为正整数且m系n之一整倍数,该非对称双槽式位址表之查表方法包括以下步骤:依据该DMAC位址产生一Hash値;自该非对称双槽式位址表中择出与该Hash値对应之一位址;当以该DMAC位址之一TAG比对该第一存取口中与该位址对应之一存取槽内之一SMAC TAG而二者相同时,即依据该第一存取口中与该位址对应之存取槽内之一来源埠传送该封包;以及当以该DMAC TAG比对该第一存取口中与该位址对应之存取槽内之该SMAC TAG而二者不同时,则以一映射方式,将该Hash値映射为一次位址及一共享値,以该DMAC TAG、该共享値分别比对该第二存取口中与该次位址对应之存取槽内所记录之一SMAC TAG、一共享値而相同时,即依据该第二存取口中与该次位址对应之存取槽内所记录之一来源埠传送该封包。11.如申请专利范围第10项之查表方法,其中该映射方式,系将将该Hash値除以一个整倍数以得一商数及一余数,根据该商数而得到该次位址,且该共享値系为该余数。12.如申请专利范围第10项之查表方法,其中该m系4K且该n系2K,而K系为210。13.如申请专利范围第10项之查表方法,其中该m系8K且该n系2K,而K系为210。14.如申请专利范围第10项之查表方法,其中该Hash値之长度系12个位元。15.如申请专利范围第10项之查表方法,更包含当比对后与该位址对应之存取槽与该次位址对应之存取槽所记录之SMACTAG皆与该TMAC TAG不同时,则广播送出该封包。16.一种交换装置,具有复数个埠,该交换装置自该等埠之一来源埠接收到一封包,而该封包具有一SMAC位址及一DMAC位址,该交换装置包括:一记忆体,包含一非对称双槽式位址表,该非对称双槽式位址表包括一第一存取口及一第二存取口,该第一存取口具m个存取槽,该第二存取口具n个存取槽,m与n均为正整数且m系n之一整倍数,该非对称双槽式位址表系用以存取复数个MAC位址;一写入装置,用以将SMAC位址写入该非对称双槽式位址表,其中依据该SMAC位址产生一第一Hash値,自该非对称双槽式位址表中释出与该第一Hash値对应之一第一位址;若该第一存取口中与该第一位址对应之存取槽内无资料时,即将该SMAC位址之一TAG及该来源埠写入该第一存取口中与该位址对应之存取槽;若该第一存取口中与该第一位址对应之存取槽内有资料时,则以一映射方式,将该第一Hash値映射为一第一次位址及一第一共享値,并自该第二存取口中释出与该第一次位址对应之一存取槽,当该第二存取口中与该第一次位址对应之该存取槽内无资料时,即将该SMAC TAG、该第一共享値及该来源埠写入该第二存取口中与该第一次位址对应之该存取槽;以及一传送装置,用以根据该DMAC位址将该封包传送至该等埠之一目的埠,其中依据该DMAC位址产生一第二Hash値,自该非对称双槽式位址表中择出与该第二Hash値对应之一第二位址;若以该DMAC位址之一TAG比对该第一存取口中与该第二位址对应之一存取槽内所记录之一MAC TAG値而二者相同时,即以该第一存取口中与该第二位址对应之存取槽内之一埠値为该目的埠而传送该封包;若以该DMAG TAG比对该第一存取口中与该第二位址对应之存取槽内所记录之MAC TAG値而二者不同时,则以一映射方式,将该第二Hash値映射为一第二次位址及一第二共享値,以该DMAC TAG、该第二共享値分别比对该第二存取口中与该第二次位址对应之存取槽内所记录之一MAC TAG値、一共享値而相同时,即以该第二存取口中与该第二次位址对应之存取槽内所记录之一埠値为该目的埠而传送该封包。17.如申请专利范围第16项之交换装置,其中该映射方式,系将将任一Hash値除以一个整倍数以得一商数及一余数,根据该商数而得到一相应之次位址,且该余数则为一相应之共享値。18.如申请专利范围第16项之交换装置,其中该m系4K且该n系2K,而K系为210。19.如申请专利范围第16项之交换装置,其中该共享値系1个位元。20.如申请专利范围第16项之交换装置,其中该m系8K且该n系2K,而K系为210。21.如申请专利范围第20项之交换装置,其中该共享値系2个位元。22.如申请专利范围第16项之交换装置,其中各Hash値之长度系12个位元。23.如申请专利范围第16项之交换装置,其中界定该第一存取口中与该第一位址对应之存取槽系相关于该第一次位址对应之存取槽,当该等相关之两存取槽皆已经存有资料时,则将该SMAC TAG、该共享値及该来源埠选择性地写入较久未经存取之该等相关之两存取槽之一。24.如申请专利范围第16项之交换装置,其中当与该第一位址对应之存取槽以及与该第一次位址对应之存取槽皆已经存有资料时,若与该第一位址对应之存取槽中之资料经过一预定期间没有存取,则将该第一次位址对应之存取槽中之资料移入与该第一位址对应之存取槽中,并清空该第一次位址对应之存取槽。25.如申请专利范围第16项之交换装置,其中当比对后与该第二位址对应之存取槽与该第二次位址对应之存取槽所记录之MAC TAG値皆与该TMAC TAG不同时,则广播送出该封包。26.如申请专利范围第16项之交换装置,其中该记忆体系为静态随机存取记忆体。图式简单说明:第1图绘示两PC藉交换机相连的示意图。第2图绘示封包之示意图。第3A图绘示习知交换机内位址表之结构。第3B图绘示乃第3A图中习知位址表之写入方法示意图。第4A图绘示习知对称双槽式位址表结构示意图。第4B图绘示乃第4A图中习知位址表之写入方法示意图。第5A图绘示依照本发明之一较佳实施例,所提供的一种非对称双槽式位址表结构示意图。第5B图绘示乃第5A图中非对称双槽式位址表之资料存取方法。 |
