发明名称 电压供应控制装置
摘要 一种电压供应控制装置,适用于一低压运作元件,由一较高启始电压电晶体与一较低启始电压电晶体所构成。当低压运作元件未运作时,使较低启始电压电晶体截止,而由较高启始电压电晶体控制低压运作元件之电源接收端所接收到高电压之压降,而确保在较低的电位。反之当低压运作元件运作时,其本身所送出运作致能信号使较低启始电压电晶体导通,控制电源接收端所接收到该高电压之压降,来达到一较高的电位。
申请公布号 TW500995 申请公布日期 2002.09.01
申请号 TW090107474 申请日期 2001.03.29
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 蔡慧芳;叶憬欣;吴德顺
分类号 G05F1/00 主分类号 G05F1/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种电压供应控制装置,适用于一低压运作件,其具有一电源接收端,且当该低压运作元件运作时送出一运作致能信号,包括:一较高启始电压电晶体,闸极与第一源/汲极共同连接到一高电压,第二源/汲极连接到该电源接收端;以及一较低启始电压电晶体,其第一源/汲极连接到该高电压,闸极接收该运作致能信号,第二源/汲极连接到该电源接收端;其中,当低压运作元件未运作时,该较低启始电压电晶体截止,而由该较高启始电压电晶体控制该电源接收端所接收到该高电压之压降;反之当低压运作元件运作时,该运作致能信号使较低启始电压电晶体导通,以控制该电源接收端所接收到该高电压之压降。2.如申请专利范围第1项所述之电压供应控制装置,其中该较高启始电压电晶体系为一双闸极氧化层电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之电压供应控制装置,其中该较低启始电压电晶体系为一双闸极氧化层电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之电压供应控制装置,其中该高电压系为3V-5V范围。5.如申请专利范围第4项所述之电压供应控制装置,其中该较高启始电压电晶体之启始电压为1.2V,该较低启始电压电晶体之启始电压为0.6V。6.一种电压供应控制装置,适用于一低压运作元件,其具有一电源接收端,且当该低压运作元件运作时送出一运作致能信号,包括:一较高启始电压电晶体,闸极与第一源/汲极共同连接到一高电压;一较低启始电压电晶体,其第一源/汲极连接到该高电压,闸极接收该运作致能信号;至少一压降电晶体,具有一第一控制端连接到该较高启始电压电晶体之第二源/汲极与该较低启始电压电晶体之第二源/汲极,以及一第二控制端连接到该电源接收端,用以形成一压降作用;其中,当低压运作元件未运作时,该较低启始电压电晶体截止,而由该较高启始电压电晶体与该压降电晶体控制该电源接收端所接收到该高电压之压降;反之当低压运作元件运作时,该运作致能信号使较低启始电压电晶体导通,配合该压降电晶体,来控制该电源接收端所接收到该高电压之压降。7.如申请专利范围第6项所述之电压供应控制装置,其中该压降电晶体系为一个,且其闸极控制端连接到该第一控制端。8.如申请专利范围第6项所述之电压供应控制装置,其中该较高启始电压电晶体系为一双闸极氧化层电晶体。9.如申请专利范围第6项所述之电压供应控制装置,其中该较低启始电压电晶体系为一双闸极氧化层电晶体。10.如申请专利范围第6项所述之电压供应控制装置,其中该压降电晶体系为一双闸极氧化层电晶体。11.如申请专利范围第6项所述之电压供应控制装置,其中该高电压系为3V-5V范围。图式简单说明:第1图绘示的是习知电压供应控制装置图形;第2图绘示的是电晶体元件之I-V个性曲线所示;第3图绘示的是依照本发明第一实施例的一种电压供应控制装置;以及第4图绘示的是依照本发明第二实施例的一种电压供应控制装置。
地址 新竹科学工业园区新竹市力行二路三号