| 主权项 |
1.一种多层布线制程用转印标记构造,其系用以避免在形成多层布线用槽状图形时,所带来的凹形扭曲;同时,为了可使下一步骤的转印与上一步骤的转印位置重叠,而将使用的转印标记的读取精度提高和读取稳定;其特征为:在连接各个布线层的步骤中形成的照相制版用的转印标记下面的下衬垫层,系具有槽状图形。2.如申请专利范围第1项之多层布线制程用转印标记构造,其中上述槽状图形系具有重覆预定之等间隔槽的形状。3.如申请专利范围第1或2项之多层布线制程用转印标记构造,其中上述照相制版用的转印标记,系由平行的槽状图形构成;同时,该照相制版用的转印标记的下面的布线层的槽状图形,系由与该照相制版用的槽状图形垂直相交的平行槽构成。4.如申请专利范围第1或2项之多层布线制程用转印标记构造,其中上述布线层的槽状图形的宽度,为在填满该布线层间隔步骤中的填满宽度。5.如申请专利范围第2项之多层布线制程用转印标记构造,其中上述下衬垫层系形成在霍尔图形的下层上,而将细线等间隔地并排排列的上述布线层,系形成在该该下衬垫层上。6.如申请专利范围第1.2或5项之多层布线制程用转印标记构造,其中利用连接上述布线层的间隔的导电膜,填满该布线层的间隔的上述转印标记。7.如申请专利范围第4项之多层布线制程用转印标记构造,其中利用连接上述布线层的间隔的导电膜,填满该布线层的间隔的上述转印标记。8.一种多层布线制程用转印标记构造,其系用以避免在形成多层布线用槽状图形时,所带来的凹形扭曲;同时,为了可使下一步骤的转印与上一步骤的转印位置重叠,而将使用的转印标记的读取精度提高,和读取稳定;其特征为:照相制版用的转印标记,系由在互相垂直的两个方向上的槽状图形构成,布线层的槽方向,系由与该转印标记的槽状图形垂直的两个方向的槽状图形形成。9.如申请专利范围第8项之多层布线制程用转印标记构造,其中上述两个方向的槽状图形,系分别具有重覆预定之等间隔槽的形状。10.如申请专利范围第8或9项之多层布线制程用转印标记构造,其中上述照相制版用的转印标记,系由平行的槽状图形构成,同时,该照相制版用的转印标记下面的布线层的槽状图形,系由分别与上述两个方向的槽状图形垂直的平行槽构成。11.如申请专利范围第8或9项之多层布线制程用转印标记构造,其中上述布线层的槽状图形的宽度,为在填满该布线层间隔步骤中的填满宽度。12.一种多层布线制程用转印标记制造方法,其系用以避免在形成多层布线用槽状图形时,所带来的凹形扭曲;同时,为了可使下一步骤的转印与上一步骤的转印位置重叠,而将使用的转印标记的读取精度提高,和读取稳定;其特征为:具有在连接布线层间隔步骤中形成位于照相制版用的转印标记下面的下衬垫层上的槽状图形的步骤。13.如申请专利范围第12项之多层布线制程用转印标记制造方法,其中具有形成重覆预定之等间隔的槽形状以作为上述槽状图形的步骤。14.如申请专利范围第12或13项之多层布线制程用转印标记制造方法,其中具有形成平行槽状图形以作为上述照相制版用的转印标记的步骤;和将形成与该照相制版用的槽形图形相交的平行槽以作为该照相制版用的转印标记下面的布线层的槽形图形的步骤。15.如申请专利范围第12或13项之多层布线制程用转印标记制造方法,其中具有将上述布线层的槽状图形宽度,限制在填满相应布线层间隔的步骤中的填满宽度的步骤。16.如申请专利范围第12或13项之多层布线制程用转印标记制造方法,其中包含有:在基板上的绝缘膜表面上,利用照相制版和乾式蚀刻方法,等间隔地形成上述槽状图形的第一步骤;在该等间隔地形成的上述槽状图形上,形成由一层以上的导体组成的上述布线层的第二步骤;进行CMP处理,以只在上述槽状图形内侧,残留上述布线层的第三步骤;在进行CMP处理,以只在上述槽状图形内侧,残留上述布线层之后,在上述绝缘膜和上述布线层上,形成层间绝缘膜的第四步骤;利用照相制版和乾式蚀刻,形成霍尔图形的第五步骤;形成埋入上述霍尔图形的导电膜的第六步骤;用乾式蚀刻法,蚀刻整个上述霍尔图形内部的第七步骤;和在上述霍尔图形内的上述导电膜和上述布线层上,堆积上层布线层,进行照相制版的第八步骤。17.如申请专利范围第15项之多层布线制程用转印标记制造方法,其中包含有:在基板上的绝缘膜表面上,利用照相制版和乾式蚀刻方法,等间隔地形成上述槽状图形的第一步骤;在该等间隔地形成的上述槽状图形上,形成由一层以上的导体组成的上述布线层的第二步骤;进行CMP处理,以只在上述槽状图形内侧,残留上述布线层的第三步骤;在进行CMP处理,以只在上述槽状图形内侧,残留上述布线层之后,在上述绝缘膜和上述布线层上,形成层间绝缘膜的第四步骤;利用照相制版和乾式蚀刻,形成霍尔图形的第五步骤;形成埋入上述霍尔图形的导电膜的第六步骤;用乾式蚀刻法,蚀刻整个上述霍尔图形内部的第七步骤;和在上述霍尔图形内的上述导电膜和上述布线层上,堆积上层布线层,进行照相制版的第八步骤。图式简单说明:图1为本发明实施例1的转印用标记的顶视图;图2为沿图1中的沿A-B线截取的元件结构剖面图;图3为用于说明在形成转印用标记后形成埋入霍尔图形导体的情况,沿图1的A-B线截取的元件结构的剖面图;图4为说明本发明实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第一步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构的剖面图;图5为用于说明本发明的实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第二步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构的剖面图;图6为用于说明本发明实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第三步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图7为用于说明本发明实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第四步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图片;图8为用于说明本发明实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第五步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图9为用于说明本发明实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第六步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图10为用于说明本发明实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第七步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图11为用于说明本发明实施例1的多层布线制程用的转印标记制造方法的第八步骤的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图12为用于说明第二实施例的多层布线制程用的转印标记制造方法采用台阶高差,进行转印用标记的读取时的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图13为用于说明第二实施例的多层布线制程用的转印标记制造方法。当仅利用从上看的对比度进行转印用标记的读取时的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图14为用于说明第二实施例的多层布线制程用的转印标记制造方法在堆积上层布线层(导体)时,不埋入该槽状图形的情况下的、沿图1的A-B线截取的元件结构剖面图;图15为本发明的第三个实施例的多层布线制程用的转印标记结构的顶视图;图16为说明第一种习知技术的转印用标记的元件的顶视图;图17为用于说明作为镶嵌法问题的凹形扭曲的、沿图16的C-D线截取的元件结构剖面图;图18为用于说明作为镶嵌法问题的凹形扭曲的、沿图16的E-F线截取的元件结构剖面图;图19为用于说明凹形扭曲问题的、沿图16的C-D线所取的元件结构剖面图;图20为用于说明凹形扭曲问题的、沿图16的C-D线所取的元件结构剖面图;图21为用于说明凹形扭曲问题的、沿图16的C-D线所取的元件结构剖面图;图22为用于说明凹形扭曲问题的、沿图l6的C-D线所取的元件结构剖面图;图23为说明第三种习知技术的转印用标记的元件的顶视图;图24为沿图23的E-F线截取的元件结构的剖面图。 |
