| 主权项 |
1.一种用以在一基底上沉积一薄膜的装置,该装置包含:一阀室;复数个晶圆平台,系堆叠的安排在该阀室内,至少两个该复数晶圆平台电性连接一电源以形成一第一电极及一第二电极,其余的该复数晶圆平台一律配置在其间;该第一电极及该第二电极形成一电容器用以使在该阀室内的汽相化学物与充分供应的能量发生反应以沉积一薄膜层在可被定位在该晶圆平台之一表面上的基底上。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中每一晶圆平台与其他每一个晶圆平台系相等地被隔开。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中每一该晶圆平台与其他每一个晶圆平台系电性隔离的。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电源系一RF电源提供约在1MHz及30MHZ间的高频能量及一约在AC50Hz及500kHz间的低频能量。5.如申请专利范围第1项所述之装置,更包含一加热元件用以加热该晶圆平台。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该加热元件接触每一该晶圆平台。7.如申请专利范围第1项所述之装置,更包含一用以使该汽相化学物散布在该基底之一表面上的挡板。8.如申请专利范围第1项所述之装置,更包含复数个用以将该汽相化学物供应至该阀室的进口埠,其中至少一个该复数进口埠系被配置成接近每一个该平台。9.一种用以在一基底上沉积一薄膜的装置,该装置包含:复数个晶圆平台,每一个具有一能接收一半导体晶圆的表面;该复数个堆叠安排在一阀室内且电性连接一电源以形成一电容器之晶圆平台具有一第一电极及一第二电极;该半导体晶圆接收表面系定位在该第一电极及该第二电极间;该第一电极及该第二电极能使在该阀室内的汽相化学物与充分供应的能量发生反应以沉积一薄膜层在该半导体晶圆上。10.如申请专利范围第9项所述之装置,更包含复数个用以将该汽相化学物供应至该阀室的进口埠,其中至少一个该复数进口埠系被配置成接近至少一个该半导体晶圆接收表面。11.如申请专利范围第9项所述之装置,更包含一用以使该汽相化学物沿着该半导体晶圆接收表面散布的挡板。12.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该晶圆平台被相等地隔开。13.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该晶圆平台系电性隔离的。14.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该电源系一RF电源提供约在1MHz及30MHz间的高频能量及一约在AC50Hz及500kHz间的低频能量。15.如申请专利范围第9项所述之装置,更包含一加热元件用以加热该晶圆平台。16.一种用以形成一薄膜在一半导体基底上之程序,该程序包含:将复数个半导体基底载入一包含复数个堆叠的晶圆平台之处理阀室,每一个堆叠的晶圆平台系形成以接收该复数个半导体基底的其中之一;及将电源供应至该晶圆平台以形成第一电极及一第二电极用以使汽相化学物发生反应以沉积一薄膜在每个半导体基底上。17.如申请专利范围第16项所述之程序,更包含利用一挡板,将该汽相化学物沿着该半导体基底之长度散布。18.如申请专利范围第16项所述之程序,其中每个平台系电性隔离且等远分开。图式简单说明:第1图系一典型CVD系统的示意图;第2A图系一典型多站连续的CVD处理阀室的简化立体图;第2B图系一第2A图系统之产品之简化的代表;第3图系一对于利用本发明之半导体晶圆处理系统之一实施例的侧面图之图示;第4图系一本发明一实施例之简化示意图;第5图系根据本发明一挡板实施例的简化图;第6图系一本发明另一实施例之简化示意图;及第7图系一本发明又一实施例之简化示意图。 |
