发明名称 具有至少二个相邻隔离层之组件及其制造方法
摘要 本发明之组件具有二个相邻之隔离层,本发明亦涉及此种组件之制法。此种组件具有已活性化之隔离层,其藉由金属化而转换成导电层。
申请公布号 TW501225 申请公布日期 2002.09.01
申请号 TW090107187 申请日期 2001.03.27
申请人 印芬龙科技股份有限公司 发明人 克劳斯罗瓦克;根特舒密德;瑞凯瑟兹
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种具有一个基板及至少一个上隔离层和下隔离层之组件,此二个隔离层相邻且其层厚度介于0.05m和50m之间,其特征为:其中一个隔离层之至少一个区域在随后之金属化,光敏过程,防水化及∕或其它之表面功能化中受到驱动(或活性化)。2.如申请专利范围第1项之组件,其中此种组件是电子组件或微电子组件。3.如申请专利范围第1或第2项之组件,其中此组件包含二个化学性不同之隔离层。4.如申请专利范围第1项之组件,其中该上隔离层被结构化及∕或作为该下层之活性化用之遮罩。5.如申请专利范围第1或4项之组件,其中已活性化区域作为胚芽区及∕或被金属化。6.一种组件之制造方法,在第一步骤中在基板上施加一种下隔离层,且须要时进行结构化,在第二步骤中该下隔离层之至少一个区域被驱动,在第三步骤中在已驱动之下隔离层上施加至少一种第二上隔离层且进行结构化。7.如申请专利范围第6项之方法,其中至少一个隔离层在其涂布之后被结构化。8.一种组件之制造方法,在第一步骤中在基板上施加一种隔离层且须要时进行结构化,在第二步骤中施加另一隔离层且进行结构化,在第三步骤中使上述二个隔离层被活性化。9.如申请专利范围第8项之方法,其中在第二步骤之后且在第三步骤之前使第二隔离层被结构化。10.如申请专利范围第8或第9项之方法,其中在第一步骤之后使该下隔离层被结构化。
地址 德国