| 主权项 |
1.一种通式为M[P(C2O4)3]的三(草酸根络)磷酸盐,其中M=H、金属或N(R1R2R3R4),其中彼此无依存性的R1.R2.R3.R4为H或具有1至8个碳原子的烷基。2.一种通式为M[P(C2O4)3]的三(草酸根络)磷酸盐,其中M=Li、Na、K、Rb、Cs、Zn、稀土元素。3.一种氢-三(草酸根络)磷酸盐H[P(C2O4)3]。4.一种三(草酸根络)磷酸锂Li[P(C2O4)3]。5.一种三(草酸根络)磷酸钠Na[P(C2O4)3]。6.一种制备氢-三(草酸根络)磷酸盐H[P(C2O4)3]的方法,其特征为五氯化磷系于非质子溶剂的存在下与无水草酸反应且生成的HC1气体被移除。7.一种制备金属-三(草酸根络)磷酸盐M[P(C2O4)3]的方法,其中M=金属或N(R1R2R3R4),其中彼此无依存性的R1.R2.R3.R4为H或具有1至8个碳原子的烷基,其特征为在第一反应步骤中五氯化磷系于非质子溶剂的存在下与无水草酸反应且生成的HC1气体被移除,在第二反应步骤中生成的中间产物系于非质子溶剂的存在下与对应的金属或金属衍生物反应以生成金属-三(草酸根络)磷酸盐且生成的金属-三(草酸根络)磷酸盐系保留于溶液中或者以固体的型态分离。8.如申请专利范围第6或7项之方法,其中在第一反应步骤中醚或者碳酸酯或烃或卤化烃或部份卤化的烃或该等物质的混合物系作为非质子溶剂。9.如申请专利范围第6或7项之方法,其中第一反应步骤系于-20至120℃的温度下实施。10.如申请专利范围第9项之方法,其中第一反应步骤系于0至100℃的温度下实施。11.如申请专利范围第6或7项之方法,其中在第一反应步骤中生成的HC1气体系藉回流下反应混合物的沸腾或者藉惰性气流的汽提或者藉减压或者藉溶剂的部份或完全蒸除或者藉液/液分离或者藉该等方法步骤的并用来移除。12.如申请专利范围第6或7项之方法,其中在第二反应步骤中醚或者碳酸酯或烃或卤化烃或部份卤化的烃或该等物质的混合物系作为非质子溶剂。13.如申请专利范围第6或7项之方法,其中第二反应步骤系于0至80℃的温度下实施。14.如申请专利范围第13项之方法,其中第二反应步骤系于10至50℃的温度下实施。15.如申请专利范围第6或7项之方法,其系用于制备三(草酸根络)磷酸锂Li[P(C2O4)3]。16.如申请专利范围第6或7项之方法,其系用于制备三(草酸根络)磷酸钠Na[P(C2O4)3]。17.如申请专利范围第1项之三(草酸根络)磷酸盐,其系用于在电化学储存系统中充作导电盐。18.如申请专利范围第4项之三(草酸根络)磷酸锂,其系用于在锂离子电池中充作导电盐。19.如申请专利范围第1或2项之三(草酸根络)磷酸盐,其系用于有机合成中充作触媒或添加剂。图式简单说明:图1说明三(草酸根络)磷酸锂在EC/DMC(1:1)中之溶液对Ni-电极的环伏图。图2说明三(草酸根络)磷酸锂在EC/DMC(1:1)中之溶液于室温下的导电度特性。图3说明三(草酸根络)磷酸锂在1,2-DME/PC(1:1)中之溶液于室温下的导电度特性。 |
