| 主权项 |
1.一种制造积体电路架构的方法,包含:设有半导体基板[10];于半导体基板[10]上淀积一层将要制作图案之层[42];于将要制作图案之层[42]上淀积一层有机抗反射涂层[44];淀积一层有机光阻[46]于有机抗反射涂层[44]上;制图案并显像有机光阻[46]以形成具有边墙[52]的开口,并且曝露出一部份的有机抗反射涂层[44];将制作图案之有机光阻[46]与有机抗反射涂层[44]曝露于在气体混合物里所维持的射频辉光放电;吸附着由有机光阻[46]与有机抗反射涂层[44]的露出部份所产生之射频辉光放电而制造的中性分子;藉由有机抗反射涂层[44]的露出部份上的单向粒子轰击,以及当使边墙[52]不受影响时,从有机光阻[46]一定通路到氧的中性分子之解吸;在有机光阻[46]的表面产生自由氧原子与曝露于电子离子轰击之有机抗反射涂层[44]之中性分子的单向分解;移除有机抗反射涂层[44]的露出部份;以及使用有机光阻[46]具有残留于有机光阻[46]之下之有机抗反射涂层[44],作为光罩而使将蚀刻之层[42]制图案。2.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,包含:在以射频辉光放电来吸附有关有机材料之中性分子的期间内,制造有关有机材料的中性分子。3.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,包括:在一种气体混合物中,制造中性分子。4.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,其中:有关有机材料中性分子的解吸,使用着有效粒子之电子-离子轰击一定通路到有机材料的表面。5.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,其中:有关有机材料之中性分子的单向分解制造出活性原子元件,该元件与有机光阻[46]和有机抗反射涂层[44]起反应,而非与制成图案的层[42]相反应。6.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,其中:有机抗反射涂层[44]露出部份之移除使用着活性原子元件。7.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,其中:在10到200毫托的过程压力里,完成有机抗反射涂层[44]露出部份之移除。8.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,其中:有机抗反射涂层[44]露出部份之移除是在使用射频功率密度的反应离子蚀刻系统里完成,其功率密度的范围是从0.1瓦特/平方公分到3.5瓦特/平方公分。9.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,其中:有机抗反射涂层[44]露出部份之移除使用一种气体与活性原子元件,其比例范围从1.5/1.0到5.0/1.0。10.如申请专利范围第1项之制造积体电路架构的方法,其中:有机抗反射涂层[44]露出部份之移除,使用着一种惰性气体,其与混合物里残留气体之总和的比例范围为0.0到5.0。图式简单说明:第1图(习知技术)是一部份半导体晶圆的一个闭合截面部份,该晶圆具有一种介质材料淀积于整面的半导体基板;以及第2图显示如本发明而制造的一个半导体晶圆的一个闭合部份截面部份。 |
