| 主权项 |
1.一种气体处理剂,其以无机多孔性物质层形成之催化剂形成于吸附剂表面,该无机多孔性物质层含有由铂、钯、钌与铑所组成之群体中选出之元素及其氧化物之至少一种。2.如申请专利范围第1项所述之气体处理剂,上述吸附剂系沸石。3.如申请专利范围第1项所述之气体处理剂,上述无机多孔性物质系从氧化铝、二氧化钛、二氧化矽、矽铝、氧化锆、氧化锡中至少选出一种。4.如申请专利范围第2项所述之气体处理剂,上述无机多孔性物质系从氧化铝、二氧化钛、二氧化矽、矽铝、氧化锆、氧化锡中至少选出一种。5.如申请专利范围第1项所述之气体处理剂,由铂、钯、钌与铑所组成之群体中选出之元素及其氧化物之至少一种的含有量系,相对于气体处理剂重量之0.25-10重量%。6.如申请专利范围第2项所述之气体处理剂,由铂、钯、钌与铑所组成之群体中选出之元素及其氧化物之至少一种的含有量系,相对于气体处理剂重量之0.25-10重量%。7.如申请专利范围第3项所述之气体处理剂,由铂、钯、钌与铑所组成之群体中选出之元素及其氧化物之至少一种的含有量系,相对于气体处理剂重量之0.25-10重量%。8.如申请专利范围第4项所述之气体处理剂,由铂、钯、钌与铑所组成之群体中选出之元素及其氧化物之至少一种的含有量系,相对于气体处理剂重量之0.25-10重量%。9.一种气体处理剂制造方法,系适用于如申请专利范围第1项至第8项中任一项所述之气体处理剂的制造方法,包括调制上述催化剂之前躯体或上述催化剂之研浆作业;以及使该研浆附着于吸附剂再烧成之作业。10.一种气体处理剂制造方法,系适用于如申请专利范围第1项至第8项中任一项所述之气体处理剂的制造方法,包括调制上述无机多孔性物质之研浆的作业;使该研浆附着于吸附剂再烧成的作业;调制上述催化剂之前躯体或上述催化剂之研浆的作业;以及使该研浆附着于吸附剂再烧成的作业。11.如申请专利范围第9项所述之气体处理剂制造方法,于上述烧成作业后进行气相还原作业。12.如申请专利范围第10项所述之气体处理剂制造方法,于上述烧成作业后进行气相还原作业。13.一种气体提纯法,其使用申请专利范第1项至第8项中任一项所述之气体处理剂,其提纯被视为微量杂质的至少含有一氧化碳与/或氢之原料气体,再除去该微量杂质之气体提纯法时,上述气体处理剂之温度被设定在0-80℃之范围。14.一种气体提纯法,其提纯含有少量水分与二氧化碳之杂质,及至少含有微量一氧化碳与/或氢杂质的原料气体,再去除该少量杂质与微量杂质时,包括首先藉水分吸附剂吸附去除所含之水分;接着藉二氧化碳吸附剂吸附去除所含之二氧化碳;以及藉申请专利范围第1项至第8项中任一项所述之气体处理剂,去除所含之一氧化碳与/或氢。15.一种气体提纯法,其提纯含有少量水分与/或二氧化碳之杂质,及至少含有一氧化碳与/或氢之微量杂质的原料气体,再去除该少量杂质与微量杂质时,包括;首先藉水分与二氧化碳吸附剂,或水分吸附剂吸附去除所含之水分与/或二氧化碳;以及藉申请专利范围第1项至第8项中任一项所述之气体处理剂,去除所含之微量一氧化碳与/或氢。16.一种气体提纯器,在具有原料气体导入口与导出口之充填用容器内,自原料气体导入口侧依序形成,水分吸附剂充填层、二氧化碳吸附剂充填层,再如形成申请专利范第1项至第8项中任一项所述之气体处理剂充填层一般,充填吸附剂与气体提纯处理剂。17.一种气体提纯器,在具有原料气体导入口与导出口之充填用容器内,自原料气体导入口侧依序形成,水分与二氧化碳吸附剂充填层,或水分吸附剂充填层,再如形成申请专利范围第1项至第8项中任一项所述之气体处理剂充填层一般,充填吸附剂与气体提纯处理剂。18.如申请专利范围第16项或第17项所述之气体提纯器,上述吸附及充填层具有,吸附含有上述原料气体之催化剂被毒成分的功能。19.一种气体提纯装置,其使用申请专利范围第16项或第17项之任一项所述之气体提纯器时,包括至少2座以上之上述气体提纯器;切换装置,用以使该气体提纯器之提纯作业与再生作业交互切换;以及再生气体供给装置,用以以向流方向供给于再生作业之该提纯器中再生气体。20.一种气体提纯装置,其使用申请专利范围第18项所述之气体提纯器时,包括至少2座以上之上述气体提纯器;切换装置,用以使该气体提纯器之提纯作业与再生作业交互切换;以及再生气体供给装置,用以以向流方向供给于再生作业之该提纯器中再生气体。图式简单说明:第1图所绘示为藉测定之本发明气体处理剂剖面模式图。第2图所绘示为本发明气体提纯器之一形态例图。第3图所绘示为本发明气体提纯器之另一形态例图。第4图所绘示为本发明气体提纯器适用于空气液化分离装置之前处理的一实施例图。 |
