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1.一种液体原料气化装置,系为将有机金属错合物 溶解在溶剂中的液体原料气化之液体原料气化装 置(1),包括: 原料供给管(23),导入前述液体原料; 气化室(20.21),与前述原料供给管(23)连接,加热并气 化从前述原料供给管(23)导入的前述液体原料;和 抑制机构(25.26.27.27a、27b),被安装在前述气化室(20. 21)和前述原料供给管(23)的至少其中一个上,并且 抑制从前述气化室(20.21)向前述原料供给管(23)的 热传播。2.如申请专利范围第1项之液体原料气化 装置,其中,前述抑制机构(25)被设置在前述气化室( 20.21)的外壁上,并且是由其热辐射率比前述气化室 (20.21)热辐射率低的材质构成的热辐射防止体。3. 如申请专利范围第2项之液体原料气化装置,其中, 前述热辐射防止体(25)的材质从玻璃、陶瓷、纤维 、聚四氟乙烯和表面被氧化的金属组成的群组中 选择的一种以上。4.如申请专利范围第1项之液体 原料气化装置,其中,前述抑制机构(26)按包围前述 原料供给管(23)的外围表面来设置,并且是用比前 述原料供给管(23)更难吸热的材质构成的防热吸收 体。5.如申请专利范围第4项之液体原料气化装置, 其中,前述防热吸收体(26)的材质从铝、铜、镍和 不锈钢组成的群组中选择的一种以上。6.如申请 专利范围第1项之液体原料气化装置,其中,前述抑 制机构(27.27a、27b)被设置在前述气化室(20.21)和前 述原料供给管(23)之间,并且是由其热膨胀系数低 于前述气化室(20.21)热膨胀系数个的材质构成的隔 热材料。7.如申请专利范围第6项之液体原料气化 装置,其中,前述隔热材料(27a、27b)具有重叠多层隔 热层的构造。8.如申请专利范围第6项之液体原料 气化装置,其中,前述隔热材料(27.27a、27b)的材质从 赛璐珞、聚醯亚胺、铁氟龙、氟橡胶和矽酮橡胶 组成的群组中选择一种以上。9.一种半导体装置, 其特征为:有将包含高介电系数材料的电容器介电 质层(59)夹在包含金属的一对电极(58.60)之间组成 的电容器(61),前述电容器介电质层(59)和前述一对 电极(58.60)的至少一个的膜厚稳定性的标准偏差在 3%以下。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其 中,前述电容器介电质层(59)的材质包括从氧化钽 、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧铅、钛酸锶、钛酸钡 和钛酸钡锶组成的群组中选择的一种以上的材质 。11.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中,前 述电容器介电质层(59)包括钛酸锆酸铅、钛酸锆酸 镧铅和钛酸钡锶的一种以上,前述电容器介电质层 (59)的组成比的稳定性的标准偏差在5%以下。12.如 申请专利范围第9项之半导体装置,其中,前述一对 电极(58.60)的至少一个的材质包括铂和钌的至少其 中一个。13.一种半导体装置之制造方法,包括下列 步骤: 使用液体原料气化装置气化将有机金属错合物溶 解在溶剂中的液体原料而形成气化原料;和 将前述气化原料导入内部放有半导体基板的气化 室(17)内,通过化学气相沉积法使用前述气化原料 在前述半导体基板上形成电容器电极(58.60)和电容 器介电质层(59)的至少其中一个;此外, 前述液体原料气化装置包括: 原料供给管(23),导入前述液体原料; 气化室(20.21),与前述原料供给管(23)连接,加热并气 化从前述原料供给管(23)导入的前述液体原料;和 抑制机构(25.26.27.27a、27b),被安装在前述气化室(20. 21)和前述原料供给管(23)的至少其中一个上,并且 抑制从前述气化室(20.21)向前述原料供给管(23)的 热传播。14.如申请专利范围第13项之半导体装置 之制造方法,其中,前述有机金属错合物包括从钡 、锶、钛、锆、铜、铝、铌、铂和钌组成的群组 中选择的一种以上。15.如申请专利范围第13项之 半导体装置之制造方法,其中,前述有机金属错合 物包含二苯甲烷基,并且前述气化室(20,21)内壁的 温度控制在100℃以上和300℃以下。图式简单说明: 图1表示配有本发明实施例1的液体原料气化装置 的溶液气化CVD装置的构造示意图。 图2示意地表示本发明实施例1的液体原料气化装 置的构造剖面图。 图3表示使用图1的溶液气化CVD装置制造的半导体 装置的晶片状态图。 图4表示使用配有本发明实施例1的液体原料气化 装置的溶液气化CVD装置制造的半导体装置构造的 示意性剖面图。 图5示意地表示本发明实施例2的液体原料气化装 置构造的剖面图。 图6示意地表示本发明实施例3的液体原料气化装 置构造的剖面图。 图7示意地表示本发明实施例4的液体原料气化装 置构造的剖面图。 图8示意地表示配有现有液体原料气化装置的溶液 气化CVD装置的构造示意图。 图9示意地表示现有的液体原料气化装置的构造剖 面图。 |
