PROCEDIMIENTO PARA LA TRANSFERENCIA DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR UTILIZANDO TECNOLOGIA DE SILICIO SOBRE UN AISLANTE (SOI).

摘要

SE DESVELA UN PROCESO NOVEL PARA PRODUCIR UN ARTICULO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE LAS ETAPAS DE PREPARAR UN PRIMER SUSTRATO CONSTITUIDO POR UN SUSTRATO DE SILICIO, UNA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA CONFORMADA SOBRE EL SUSTRATO DE SILICIO, Y UNA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES CONFORMADA EN AL MENOS UNO DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO Y EN LA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA; LA UNION DEL PRIMER SUSTRATO AL SEGUNDO SUSTRATO PARA OBTENER UNA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES CON LA CAPA SEMICONDUCTORA POROSA SITUADA EN SU INTERIOR; LA SEPARACION DE LA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES POR LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES; Y LA RETIRADA DE LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES QUE PERMANECE SOBRE EL SEGUNDO SUSTRATO SEPARADO.