Method for forming a DRAM capacitor and capacitor made thereby

摘要

집적 DRAM 셀은 DRAM 캐패시터 및 트랜지스터를 구성한다. 셀의 캐패시터는 위의 셀 트랜지스터 위의 유전체 층에 있는 제 1 웰에 형성된다. 또한 캐패시터의 상부 전극은 유전체 층의 제 2 웰에 있는 하부 플러그 사이에서 장벽 층으로서의 역할을 한다. 위의 셀을 형성하는 방법은 캐패시터의 상부 전극 및 제 2 웰의 장벽 층의 역할을 하는 층의 형성을 위한 단일 마스크를 사용하는 단계를 포함한다.