| 摘要 |
<p>Cette invention concerne un détecteur actif de pixels pour imagerie numérique qui comprend un détecteur, un circuit de lecture et une charge résistive. Le détecteur est intégré au circuit de lecture, lequel circuit comporte une pluralité de transistors à film mince (TFT), au silicium amorphe. Le circuit de lecture est noyé sous le détecteur, d'où facteur de remplissage élevé. Une charge signal s'accumule sur une capacitance de pixels pendant un mode d'intégration et est transférée vers un dispositif électronique extérieur pour acquisition de données via le circuit de lecture en mode de lecture. Un courant de sortie provenant du circuit d'affichage est converti en tension par l'intermédiaire de la charge résistive. Cette charge résistive peut être constituée par un transistor à film mince fonctionnant à un régime de saturation, dont la largeur est plus importante que la longueur. Le détecteur actif de pixels amplifie un signal d'entrée du détecteur de manière à améliorer l'immunité aux bruits du signal d'entrée d'un détecteur sensible à des sources de bruits extérieurs et sa linéarité, et d'obtenir une lecture rapide de pixels.</p> |
