| 摘要 |
<p>Bei einem Halbleiterspeicher besteht eine kapazitive Kopplung zwischen den weitgehend parallel verlaufenden Bitleitungen (38, 39). Äußere Abschnitte (13, 14, 36, 37) der Bitleitungen sind über jeweilige Schalter (27, 28, 29, 30) mit dem dazwischen angeordneten Leseverstärker (10) verbunden. Um die kapazitive Einkopplung durch andere Bitleitungen beim Auslesen einer Speicherzelle (15) vor dem Beginn der Verstärkung durch den Leseverstärker (10) in die nicht mit der auszulesenden Speicherzelle (15) gekoppelte Bitleitung (39) möglichst gering zu halten, sind die Schalter (28, 29) in jener Bitleitung (39) leitend geschaltet. Während der Verstärkungsphase wird der entfernte äußere Abschnitt (37) jener Bitleitung (39) über den entsprechenden Schalter (29) abgeschaltet. In einer Ausführungsform wird die Kapazität der nicht mit der auszulesenden Speicherzelle (15) verbundenen Bitleitung (39) weiter erhöht, indem eine Vorladeschaltung (31) zusätzlich aktiviert ist.</p> |
