| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant de multiples protrusions colonnaires ou planes. Un mince film de SiO2 électriquement isolant, ou autre élément semblable, est formé sur toute la surface comprenant ces protrusions par pulvérisation, plaquage ionique ou CVD, améliorant ainsi les caractéristiques de transfert de chaleur de la surface.</p> |
