制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法

摘要

一种制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法,形成有不同蚀刻特性的一层掺杂多晶硅层及一层牺牲层在基底上。在前述产生的基底上形成一层介电层以覆盖栅极结构的表面,并且暴露出栅极结构的牺牲层的表面,随后以金属层取代牺牲层以形成栅极。

主权项

1.一种制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法，该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一栅氧化层；在该栅氧化层上形成一掺杂多晶硅层；在该掺杂多晶硅层上形成一牺牲层；定义该掺杂多晶硅层及该牺牲层，形成一栅极结构；在该图案化的该掺杂多晶硅层和该牺牲层侧边形成一绝缘间隙壁；在该基底上形成一源/漏极区域；在该基底上形成一第一介电层，以覆盖该栅极结构，该第一介电层以化学机械研磨法处理至该牺牲层表面被暴露出来；选择性地移除该牺牲层以形成一开口，该开口暴露出该掺杂多晶硅层；填充一金属层进入该开口，以及在该金属层及该第一介电层形成一第二介电层上。