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发明名称 High power, high frequency metal-semiconductor field-effect transistor formed in silicon carbide
摘要
申请公布号 EP0518683(B1) 申请公布日期 2002.08.28
申请号 EP19920305417 申请日期 1992.06.12
申请人 CREE, INC. 发明人 PALMOUR, JOHN W.
分类号 H01L21/338;H01L29/24;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/24;H01L21/34 主分类号 H01L21/338
代理机构 代理人
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