摘要 |
<p>본 발명은 광학 조명계의 시그마값 측정 마스크 및 그 측정방법에 관한 것으로, 레티클 상부의 일정간격으로 십자형의 마스크 패턴이 구비되되, 상기 십자형 마스크 패턴은 중앙부에서 에지부 방향으로 일정길이만큼 임계크기 ( critical dimension, CD ) 가 주기적으로 감소되도록 마스크를 형성하고, 스코프나 셈 등의 장비를 이용하거나 레이저를 이용한 스캐닝 ( scanning ) 방법으로 시그마 값을 용이하게 측정함으로써 패턴의 변형 정도를 예측할 수 있도록 하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.</p> |