| 摘要 |
<p>하부 기판 위에 가로 방향의 게이트선과 게이트선의 분지인 게이트 전극 및 게이트선과 나란한 유지 전극선이 형성되어 있다. 게이트선, 게이트 전극 및 유지 전극선은 게이트 절연막으로 덮여 있으며 그 위에는 반도체층과 저항성 접촉층이 형성되어 있다. 데이터선이 세로 방향으로 형성되어 있고, 데이터선에서 이어진 소스 전극과 소스 전극 맞은 편의 드레인 전극이 게이트 전극 상부에 형성되어 있다. 데이터선과 소스 및 드레인 전극의 상부에는 보호 절연막이 형성되어 있다. 게이트선과 데이터선이 교차하는 영역에 의해 정의되는 화소 영역에는 모서리가 곡선화된 사각형 수 개가 연결되어 있는 형태의 화소 전극이 형성되어 있으며 화소 전극의 일부는 드레인 전극과 접촉하고 있다. 데이터선 사이의 게이트선 상부에는 게이트선과 절연되어 있는 게이트선 보조 패턴이 형성되어 있다. 상부 기판의 공통 전극에는 중심으로부터 멀어질수록 폭이 좁아지는 모양의 십자 모양(+) 수 개가 일렬로 배열되어 있는 개구 패턴이 형성되어 있다. 이때, 화소 전극을 이루는 사각형 간의 간격 및 개구 패턴의 폭을 상부 기판과 하부 기판 간의 거리보다 크게 형성하여 비정상 조직의 발생이 줄어든다.</p> |
