| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자의 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 워드라인을 형성하고 상기 워드라인 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 전체표면상부에 다-실리콘질화막으로 식각장벽층을 형성하고 전체표면상부에 제1층간절연막을 형성한 다음, 상기 제1층간절연막을 세리아 계열 슬러리로 화학기계연마하여 평탄화시키고, 전체표면상부에 제2층간절연막을 형성한 다음, 후속 콘택공정으로 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정으로 콘택공정시 반도체기판이나 워드라인의 손상을 최소화시켜 반도체소자의 특성 열화를 방지함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.</p> |
