| 发明名称 |
Semiconductor memory structure, using a ferroelectric dielectric and method of formation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0740347(B1) |
申请公布日期 |
2002.08.28 |
| 申请号 |
EP19950106098 |
申请日期 |
1995.04.24 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
TEMPEL, GEORG, DR. RER. NAT. |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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