| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体装置和半导体装置的制造方法中,象素部分205的源极电线126是由低阻的材料(具有代表性的是铝,银,铜)而形成的。驱动电路的源极电线是在与象素部分的栅极电线162和象素电极163相同的形成过程中形成的。 | ||
| 申请公布号 | CN1366340A | 申请公布日期 | 2002.08.28 |
| 申请号 | CN01145455.5 | 申请日期 | 2001.11.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润 |
| 分类号 | H01L27/00;H01L21/00;G02F1/136 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，它包括：一第一n沟道型TFT，设置在象素中；一第二n沟道型TFT，设置在驱动电路中；一第三n沟道型TFT，设置在上述驱动电路中，其特征在于每个上述第一n沟道型TFT，上述第二n沟道型TFT，和上述第三n沟道型TFT的栅电极具有由一第一导电层和一第二导电层组成的层状结构，作为下层的第一导电层具有第一宽度，作为上层的第二导电层具有一比第一宽度小的第二宽度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||