| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明特征在于,在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上,形成含稀有气体元素的半导体膜,并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且,在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。 | ||
| 申请公布号 | CN1366341A | 申请公布日期 | 2002.08.28 |
| 申请号 | CN02105264.6 | 申请日期 | 2002.01.19 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 浜田崇;村上智史;山崎舜平;中村理;梶尾诚之;肥塚纯一;高山彻 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L29/78;H01L21/00 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一n-沟道TFT，设在衬底上；第二n-沟道TFT，设在上述衬底上；上述衬底上的p-沟道TFT；第一杂质区域和第二杂质区域，设在第一n-沟道TFT的半导体层中，和栅极外；第三杂质区域，设在第二n-沟道TFT的半导体层中，且设置成与栅极部分重叠，第三杂质区域设在栅极外；第四杂质区域，设在p-沟道TFT的半导体层中，且设置成与栅极部分重叠；和第五杂质区域，设在p-沟道TFT的半导体层中，且设在栅极外的衬底上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||