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发明名称 PROCESS FOR FABRICATING A UNIFORM GATE OXIDE OF A VERTICAL TRANSISTOR
摘要
申请公布号 EP1234325(A1) 申请公布日期 2002.08.28
申请号 EP20000982265 申请日期 2000.11.27
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP.;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 FALTERMEIER, JOHNATHAN, E.;GRUENING, ULRIKE;HEGDE, SURYANARAYAN;JAMMY, RAJARAO;LEE, BRIAN, S.;TEWS, HELMUT
分类号 H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8242;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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