| 摘要 |
<P>Circuit pour abaisser la chute de tension effective d'une diode à semiconducteur. Le circuit inclut un premier dispositif métal-oxyde-semiconducteur (MOS) (M1) qui est connecté en parallèle à la diode (D1). Une tension de polarisation (Vbias) qui est proche de la tension de seuil mais qui lui est inférieure est appliquée sur le dispositif MOS. Lorsqu'une tension en sens direct est appliquée sur la diode, cette tension est ajoutée à la tension source-drain du dispositif MOS, ce qui l'active. Le dispositif MOS dérive alors la diode afin de vaincre de manière efficace la chute de tension en sens direct inhérente de la diode. Le circuit est appliqué de manière avantageuse à un circuit de redresseur afin de réduire des exigences en termes de tension d'entrée et afin d'améliorer l'efficience du redresseur.</P>
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