| 摘要 |
<p>본 발명의 양태를 달성하기 위해, 전계 효과 트랜지스터에서, 화합물 반도체 기판은 활성 영역을 가지며, 그 활성 영역 상에 게이트 핑거 전극이 형성된다. 게이트 핑거 전극과 이격하여 게이트 핑거 전극이 사이에 끼워지도록, 소오스 및 드레인 스트라입 전극이, 활성 영역 상에, 형성된다. 게이트 연장 전극은 게이트 핑거 전극에 접속되고, 소오스 및 드레인 연장 전극은 각각 소오스 및 드레인 스트라입 전극에 접속된다. 저항부는 트랜지스터 형성 영역의 그 게이트 연장 전극과 게이트 핑거 전극 사이에 제공된다.</p> |
