| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체기판상에 절연막을 형성하는 단계와, H가 포함된 포토레지스트와 H가 포함되지 않은 포토레지스트를 상기 절연막상에 차례로 도포하는 단계, 금속 콘택홀 및 금속라인 패턴 형성용 레티클을 이용하여 마스크 공정을 실시하여 상기 포토레지스트층들을 선택적으로 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트패턴이 형성된 상기 절연막상에 SC-1을 코팅하는 단계, CSP처리를 진행하여 상기 SC-1을 상기 H가 포함된 포토레지스트와 결합시켜 패턴을 형성하는 단계, 건식식각을 행하여 금속 콘택영역과 금속라인 영역을 동시에 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계, 남아 있는 포토레지스트를 제거하는 단계, 및 상기 금속 콘택홀이 매립되도록 기판 전면에 금속을 증착하고 CMP하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성을 위한 대머신 구조 형성방법을 제공한다.</p> |
