Verfahren und Halbleiteranordnung zur Ätzung einer Schicht eines Halbleitersubstrats mittels einer siliziumhaltigen Ätzmaske

摘要

Zur Erhöhung der Ätzresistenz und zur Reduzierung der Ätzrate einer siliziumhaltigen Maskenschicht (3) wird eine zusätzliche Substanz (8) in die Maskenschicht (3) oder in ein Ätzgas gemischt. Die zusätzliche Substanz (8) ist in der Maskenschicht (3) vorhanden bzw. reichert in der Maskenschicht (3) an. Während eines nachfolgenden Ätzprozesses zur Strukturierung mittels der Maskenschicht (3) wird die Maskenschicht (3) mit einer verminderten Ätzrate abgetragen..