| 摘要 |
<p>본 발명은 캐패시터의 상부전극과 금속배선의 원하지 않는 반응을 효과적으로 억제하여 소자의 신뢰성 및 특성 저하를 방지할 수 있는, 강유전체 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, Pt와 Al이 반응하는 것을 효과적으로 억제하기 위하여 Pt막 상에 Pt와 반응성이 없는 TiN막 또는 TiAlN막으로 확산방지막으로 형성한 다음, 실리콘산화막 또는 실리콘산화질화막과 TEOS 적층막으로 콘택홀을 매립하고 이후에 에치백 공정을 실시하여 다시 확산방지막을 노출시킨 후, 금속배선 형성 공정을 실시하는데 특징이 있다. 이러한 방법에 따라 캐패시터의 전극 재료로 사용하는 Pt막과 배선 재료로 사용하는 Al 사이에 두꺼운 SiO층이 놓이게 되므로 금속 배선 형성 공정 이후에 실시되는 열처리 공정에서 Pt와 Al의 반응을 효과적으로 차단할 수 있다.</p> |
