| 摘要 |
<p>본 발명은 금속배선과 캐패시터간 확산방지막으로 탄탈륨나이트라이드를 이용한 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 불순물확산층이 형성된 반도체 기판 상부에 제 1 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 층간절연막 상부에 하부전극, 강유전체막, 상부전극으로 이루어진 캐패시터를 형성하는 단계, 상기 캐패시터의 상부전극을 포함한 반도체 기판 상부에 제 2 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 불순물확산층과 상부전극이 노출되도록 상기 제 2 층간절연막을 패터닝하는 단계, 상기 노출된 불순물확산층을 포함한 전면에 제 1 탄탈륨나이트라이드를 형성하고 상기 캐패시터의 상부전극에만 남도록 패터닝하여 확산방지막을 형성하는 단계, 상기 확산방지막을 포함한 전면에 탄탈륨, 제 2 탄탈륨나이트라이드를 적층하고 패터닝하여 상기 상부전극과 불순물확산층을 연결하는 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
